1. BSC883N03LS G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSC883N03LS G 

产品描述

MOSFET N-KANAL POWER MOS

内部编号

173-BSC883N03LS-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:5000
1+¥2.7738
25+¥2.6197
100+¥2.4656
500+¥2.3885
1000+¥2.2344
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:4986
1+¥6.0856
10+¥5.0872
100+¥3.2821
1000+¥2.6257
2000+¥2.2154
5000+¥2.1334
10000+¥2.1265
25000+¥2.0034
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSC883N03LS G产品详细规格

规格书 BSC883N03LS G datasheet 规格书
BSC883N03LS G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 34V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 98A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.8 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2800pF @ 15V
功率 - 最大 57W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSC883N03LS G系列产品

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